IGBT-Struktur
Es enthält eine Drei-Anschluss-Vorrichtung: Gate G, Kollektor C und Emitter E (wie in der beigefügten Abbildung gezeigt).
Die Abbildung zeigt einen N-Kanal-VDMOSFET kombiniert mit GTR - N-Kanal-IGBT.
Der IGBT verfügt über eine zusätzliche P+-Einspritzfläche als der VDMOSFET und verfügt über eine starke Durchgangsstromfähigkeit.
Die vereinfachte Ersatzschaltung zeigt, dass der IGBT eine Darlington-Struktur ist, die aus einem GTR und einem MOSFET besteht, einem PNP-Transistor mit einem dicken Basisbereich, der vom MOSFET angetrieben wird.
RN ist der Modulationswiderstand innerhalb des Basisbereichs des Transistors.
Eigenschaften von GTR - Bipolarer Typ, stromgesteuert, mit Leitwertmodulationseffekt, sehr hohe Durchgangsstromfähigkeit, niedrige Schaltgeschwindigkeit, hohe Antriebsleistung erforderlich. Aktuelles Steuerelement.
Vorteile von MOSFET - unipolarer Typ, spannungsgesteuert, schnelle Schaltgeschwindigkeit, hohe Eingangsimpedanz, gute thermische Stabilität, Spannungssteuerelement.
IGBT-Funktionen
Das Gate ist spannungsgesteuert, die Antriebsschaltung ist einfach und die erforderliche Antriebsleistung ist gering.
Hohe Betriebsfrequenz, geringe Schaltverluste, nur 1/10 GTR bei einer Spannung über 1000V.
Hohe Spannungsfestigkeit, hohe Stromtragdichte, hohe Eingangsimpedanz, kleiner Durchgangsspannungsabfall, gute thermische Stabilität, kein "Durchgangsproblem".
Einfache Fahrschaltung, großer sicherer Arbeitsbereich, starke Strombelastbarkeit, keine Pufferschaltung.
Es ist möglich, eine hohe Stromregelung mit kleiner Spannung zu erreichen.
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